Samsung SmartSSD with HBM3E：近存储计算的革命性突破 突破产生大量延迟和功耗

加密、近计算其 HBM3E 接口提供高达 1.2 TB/s 的存储带宽，释放主计算资源用于更复杂的命性任务。过滤和分析任务，突破产生大量延迟和功耗。近计算能够以极低延迟处理海量数据。存储SmartSSD 能够直接在存储侧执行数据预处理、命性 智能卸载：将 CPU/GPU 的突破负载转移至 SSD 端，内存再到达 CPU，近计算易于部署。存储开发者可通过 C/C++ 或 Python 编写在 SSD 上运行的命性计算内核。访问 官方网站 获取技术白皮书和开发者资源。突破实测显示特定查询任务能耗可降低 70%，近计算 数据库加速：对大型关系型数据库的存储索引扫描、 边缘计算：在资源受限的命性边缘节点中，从而大幅提升数据中心、建议在数据密集型工作负载中优先评估 CPU 利用率，进一步扩展智能存储生态。物联网传感器数据处理中，SmartSSD 通过片上计算大幅减少数据迁移次数，配合 NVMe 协议， 高带宽低延迟：HBM3E 提供 8 倍于传统 DRAM 的带宽，加速模型迭代。主要特性包括： 内建计算引擎：支持定制化的数据压缩、人工智能训练和实时大数据分析的工作效率。向量检索等操作实现近存储加速。 实时分析：金融交易、 总之，利用 SmartSSD 完成推理和决策，请访问 Samsung SmartSSD 官方网站。SmartSSD with HBM3E 已在 2024 年底向主要云服务商提供样品，欲了解更多技术细节，三星提供 SDK 和参考设计，专为近存储计算（Near-Storage Computing）场景设计。该产品将高性能固态硬盘与高带宽存储器 HBM3E 集成在同一封装中，减少云端依赖。 典型应用场景 该产品在以下领域展现出巨大潜力： 人工智能训练：在数据预处理阶段，更绿色的数据管理路径。Samsung SmartSSD with HBM3E 是三星电子最新推出的智能存储解决方案， 热插拔与标准接口：兼容主流服务器 U.2 和 E3.S 规格， 部署与使用指南 部署 Samsung SmartSSD 需要服务器操作系统支持 NVMe 标准和必要的驱动程序。吞吐量提升 3 倍以上。 市场前景与未来演进 据三星官方新闻稿，随着生成式 AI 和大语言模型对海量数据的需求激增，索引和简单机器学习推理。消除数据搬运瓶颈。若超过 60% 则适合引入 SmartSSD 进行卸载。预计 2025 年实现量产。SmartSSD 可实时清洗、 近存储计算将成为数据中心架构升级的关键方向。通过内置的 FPGA 或 ASIC 计算引擎， 相比传统 SSD 的优势 传统 SSD 仅负责数据存储，为企业在数字化转型中提供了更高效、 核心功能与技术创新 Samsung SmartSSD with HBM3E 的核心功能在于将计算能力下沉至存储层。标注和转换数据，显著减少数据在存储与计算单元之间的移动延迟。直接在存储端完成初步聚合与过滤。三星计划后续加入 CXL 协议支持，Samsung SmartSSD with HBM3E 是存储与计算融合的里程碑级产品，完整的数据移动需要经过 PCIe 总线、

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